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Produktinformationen
Beschreibung
TECHNISCHE DATEN:
- Hersteller: Toshiba
- Produktkategorie: MOSFET
- Gehäuse TO-220-3
- Transistor-Polarität: N-Kanal
- Anzahl der Kanäle: 1
- Spannung (Drain-Source-Trennung): 600 V
- Dauerhafter Drainstrom: 10 A
- Gate-zu-Source-Spannung: 30 V
- Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
- Maximale Betriebstemperatur: 150 C
- Verlustleistung): 45 W
- Rückfallzeit: 27 ns
- Einschwingzeit: 15 ns
Eigenschaften
- MarkeTOSHIBA
- Länge10 cm
- Breite100 mm
- Höhe100 mm
- Gewicht100 g
Den TOSHIBA-Shop besuchenToshiba Corporation ist ein multinationales japanisches Unternehmen, das 1875 von Tanaka Hisashige unter dem Namen Tanaka Seisakusho gegründet wurde, 1939 in Tokyo Shibaura Electric K.K. und schließlich 1978 in Toshiba Corporation umbenannt wurde. Toshiba hat seinen Sitz in Tokio und ist ein diversifiziertes Konglomerat, das in verschiedenen Technologiebereichen tätig ist.
Toshiba ist für seine Innovationen und wichtigen Beiträge zur Elektronik- und Elektroindustrie bekannt. Das Unternehmen hat in vielen Bereichen Pionierarbeit geleistet, u. a. bei Laptops, Fernsehern, Haushaltsgeräten, medizinischen Geräten und Infrastruktursystemen. Zu seinen bemerkenswerten Leistungen zählen die Entwicklung des ersten IBM-kompatiblen Laptops, des T1100, und bedeutende Fortschritte in der NAND-Flash-Speichertechnologie.
Das Unternehmen ist weltweit tätig, mit einer bedeutenden Präsenz in Asien, Nordamerika und Europa. Das Unternehmen bietet eine breite Palette an Produkten und Dienstleistungen an, die von Halbleitern und Datenspeicherlösungen bis hin zu Kernenergiesystemen und sozialen Infrastrukturen reicht.
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