Bidirektionales Thyristormodul, siliziumgesteuerte Gleichrichterdiode, 600 V–2000 V Halbleiter

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Entdecken Sie unser Hochleistungsthyristormodul Modell MCC132 16IO1B, das für optimale Zuverlässigkeit und Effizienz in Ihren industriellen und elektronischen Anwendungen entwickelt wurde.

Dieses Bauteil arbeitet kontaktlos und gewährleistet so einen leisen, funkenfreien Betrieb mit niedrigem Geräuschpegel.

Die Wärmeableitung erfolgt über eine ebene Kupfergrundplatte, die Wärme schnell ableitet, um Überhitzung zu verhindern und einen stabilen Betrieb des Halbleiterrelais sicherzustellen.

Die elektrische Isolation zwischen Chip und Grundplatte ist mit einer Spannungsfestigkeit von 600 bis 2000 V hervorragend und garantiert erhöhte Sicherheit und Zuverlässigkeit.

Dieses Modul zeichnet sich durch seine hochwertige Lötstruktur, stabile Temperatureigenschaften und hohe Strombelastbarkeit aus und bietet somit maximale Leistung.

Es eignet sich ideal für Motorsteuerungen, verschiedene Gleichrichter, Lichtdimmung, Frequenzumrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) sowie zum Laden und Entladen von Batterien.

Technische Daten: - Artikeltyp: Thyristormodul - Modell: MCC132 16IO1B - Stromfestigkeit: 132 A - Spannungsfestigkeit: 600–2000 V - Durchlassspitzenspannung: ≤ 1,4 V - Prüftemperatur: 125 °C - Gate-Triggerstrom: IGT 20–80 mA, VGT 0,7–1,7 V - Viso-Isolationsspannung: 2500 V AC - Abmessungen: ca.

93,5 x 33,4 x 30,6 mm (3,7 x 1,3 x 1,2 Zoll)

Lieferumfang:

1 x Thyristormodul

Setzen Sie auf Robustheit und Präzision mit diesem Thyristormodul – ideal für Ihre anspruchsvollen technischen Anforderungen.