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HGT30N60A4 IGBT-Transistor N-Kanal 600V TO247

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Produktinformationen

Beschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der HGT30N60A4 ist ein leistungsstarker N-Kanal IGBT-Transistor, der für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Er bietet eine hohe Kollektor-Emitter-Spannung und ist ideal für den Einsatz in Schaltungen, die hohe Ströme und Spannungen erfordern.

Technische daten

  • Kollektor-Emitter-Spannung: 600 V
  • Kollektorstrom: 60 A
  • Verlustleistung: 463 W
  • Gehäuse: TO247-3
  • Eingangsspannung - Emitter: ±20 V
  • Kollektorstrom im Impuls: 240 A
  • Torlast: 360 nC

    • Eigenschaften

    • Marke
      ON SEMICONDUCTOR
    • Länge
      10 cm
    • Breite
      100 mm
    • Höhe
      100 mm
    • Gewicht
      100 g
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