IGBT-Transistor 650V 60A 300W TO3P FGA60N65SMD
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Produktinformationen
Beschreibung
TECHNISCHE DATEN:
- Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD).
- Transistor-Typ IGBT
- Kollektor-Emitter-Spannung 650V
- Kollektorstrom 60A
- Verlustleistung 300W
- TO3P-Gehäuse
- Eingangsspannung - Emitter ±20V
- Kollektorstrom bei Impuls 180A
- Gate-Last 284nC
Eigenschaften
- MarkeON SEMICONDUCTOR
- FarbeMehrfarbig
- Höhe100 mm
- Stromstärke60 A
- Breite100 mm
- MaterialKunststoff
- Art der ElektroInstallationMit Schrauben
- Gewicht100 g
- Leistung300 W
- Elektrische Spannung5 V
- ManoMano Art.-NrME40446737
- MMID884137961381
- Herstellerreferenz53002-DI
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