Der IHW20N120R5XKSA1 von Infineon Technologies ist ein leistungsstarker IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) im TO-247 Gehäuse. Er bietet eine hohe Spannungsfestigkeit von bis zu 1200 V und ist ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik, wie z.B. in Wechselrichtern und Motorsteuerungen.
Technische daten
Maximale Sperrspannung: 1200 V
Maximaler Kollektorstrom: 20 A
Gehäuse: TO-247
Schaltverluste: Niedrig
Kompatibilität und Zubehör
Kompatibel mit verschiedenen Leistungselektronik-Anwendungen
Geeignet für den Einsatz in Kombination mit Kühlkörpern
Installation
Einfach zu montieren im TO-247 Gehäuse
Empfohlene Verwendung von Wärmeleitpaste zur Verbesserung der Wärmeableitung
Anwendung
Wechselrichter
Motorsteuerungen
Industrielle Anwendungen
Eigenschaften
Marke
INFINEON TECHNOLOGIES
Länge
4.2 cm
Breite
17 mm
Höhe
6 mm
Leistung
288 W
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