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Infineon Technologies IRF3205PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

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Produktinformationen

Beschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der Infineon Technologies IRF3205PBF ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET, der für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Mit einer maximalen Leistung von 200 W bietet er eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltanwendungen.

Technische daten

  • Typ: N-Kanal MOSFET
  • Maximale Leistung: 200 W
  • Gehäuse: TO-220AB
  • Maximale Drain-Source-Spannung (VDS): 55 V
  • Maximaler Drain-Strom (ID): 110 A
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
  • RDS(on): 8 mΩ bei VGS = 10 V

    • Eigenschaften

    • Marke
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Leistung
      200 W
    • Elektrische Spannung
      55 V
    • Stromstärke
      110 A
    • Material
      Metall
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