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Infineon Technologies SGW25N120 IGBT TO247-3-PG Einzeln Standard 1200 V

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Produktinformationen

Beschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der Infineon Technologies SGW25N120 ist ein leistungsstarker IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) im TO247-3-PG Gehäuse. Er bietet eine hohe Spannungsfestigkeit von 1200 V und ist ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik, wie z.B. in Wechselrichtern, Motorsteuerungen und anderen Hochleistungsanwendungen.

Technische daten

  • Maximale Sperrspannung: 1200 V
  • Maximaler Kollektorstrom: 25 A
  • Gehäuse: TO247-3-PG
  • Schaltverluste: Niedrig
  • Temperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
  • Weitere Informationen

  • Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
  • Geeignet für Hochfrequenzanwendungen
  • Eigenschaften

    • Marke
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Länge
      4.1 cm
    • Leistung
      313 W
    • Elektrische Spannung
      3.6 V
    • Stromstärke
      46 A
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