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Infineon Technologies SGW25N120 IGBT TO247-3-PG Einzeln Standard 1200 V

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Produktinformationen

Beschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der Infineon Technologies SGW25N120 ist ein leistungsstarker IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) im TO247-3-PG Gehäuse. Er bietet eine hohe Spannungsfestigkeit von 1200 V und ist ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik, wie z.B. in Wechselrichtern, Motorsteuerungen und anderen Hochleistungsanwendungen.

Technische daten

  • Maximale Sperrspannung: 1200 V
  • Maximaler Kollektorstrom: 25 A
  • Gehäuse: TO247-3-PG
  • Schaltverluste: Niedrig
  • Temperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
  • Weitere Informationen

  • Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
  • Geeignet für Hochfrequenzanwendungen
  • Eigenschaften

    • Marke
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Ursprung
      Hergestellt in Deutschland
    • Farbe
      Schwarz
    • Art der ElektroInstallation
      Mit Schrauben
    • Leistung
      313 W
    • ManoMano Art.-Nr
      ME5993100
    • MMID
      948908739117
    • Herstellerreferenz
      sgw25n120
    • EAN
      2050000025716
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