IRF5210PBF MosFet P-Transistor 100V 40A 200W TO220

Verkauft von Electropolis

Produktinformationen

Beschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der IRF5210PBF ist ein leistungsstarker P-MOSFET Transistor, der für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik geeignet ist. Er nutzt die HEXFET®-Technologie von Infineon Technologies und bietet eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit.

Technische daten

Transistor Typ: P-MOSFET

Drain-Source-Spannung: -100 V

Ableitstrom: -40 A

Verlustleistung: 200 W

Gehäuse: TO220AB

Tür-zu-Quelle-Spannung: ±20 V

Eigenschaften

Marke
INFINEON TECHNOLOGIES
Zertifizierung NF
NF220
Zusätzliche Herstellergarantie
3 Jahr(e)
Farbe
Mehrfarbig
Höhe
100 mm
Stromstärke
40 A
Breite
100 mm
Material
Kunststoff
Art der ElektroInstallation
Mit Schrauben
Gewicht
100 g
Leistung
200 W
Elektrische Spannung
100 V
ManoMano Art.-Nr
ME56141484
MMID
227433850265
Herstellerreferenz
16530-DI

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