Allgemeine BeschreibungDer IRFZ24N ist ein leistungsstarker N-MOSFET-Transistor, der mit der HEXFET®-Technologie von Infineon Technologies entwickelt wurde. Er bietet eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit für verschiedene Anwendungen in der Elektronik.Technische datenDrain-Source-Spannung: 55 VAbleitstrom: 17 AVerlustleistung: 45 WTür-zu-Quelle-Spannung: ±20 VGehäuse: TO220AB