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ON Semiconductor FDS6930B MOSFET 2 N-Kanal 900 mW SOIC-8

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Produktinformationen

Beschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der ON Semiconductor FDS6930B ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET, der in einem kompakten SOIC-8 Gehäuse untergebracht ist. Mit einer maximalen Leistung von 900 mW eignet sich dieser MOSFET ideal für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik und Schaltungstechnik.

Technische daten

  • Maximale Leistung: 900 mW
  • Gehäuse: SOIC-8
  • Typ: N-Kanal
  • Eigenschaften

    • Marke
      ANDERE
    • Länge
      0.62 cm
    • Breite
      0.5 cm
    • Höhe
      0.175 cm
    • Elektrische Spannung
      5 V
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