HGT30N60A4 IGBT-Transistor N-Kanal 600V TO247

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Produktinformationen

Beschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der HGT30N60A4 ist ein leistungsstarker N-Kanal IGBT-Transistor, der für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Er bietet eine hohe Kollektor-Emitter-Spannung und ist ideal für den Einsatz in Schaltungen, die hohe Ströme und Spannungen erfordern.

Technische daten

Kollektor-Emitter-Spannung: 600 V

Kollektorstrom: 60 A

Verlustleistung: 463 W

Gehäuse: TO247-3

Eingangsspannung - Emitter: ±20 V

Kollektorstrom im Impuls: 240 A

Torlast: 360 nC

Eigenschaften

Marke
ON SEMICONDUCTOR
Zusätzliche Herstellergarantie
3 Jahr(e)
Farbe
Schwarz
Höhe
100 mm
Stromstärke
60 A
Breite
100 mm
Material
Kunststoff
Art der ElektroInstallation
Mit Schrauben
Gewicht
100 g
Elektrische Spannung
20 V
Art des Kontakts
Normalerweise Geschlossen
ManoMano Art.-Nr
ME40447466
MMID
722272134772
Herstellerreferenz
4557-DI

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