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N-MosFet-Transistor 200V 18A 100W TO220AB IRFB4020PBF

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Produktinformationen

Beschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der N-MosFet-Transistor IRFB4020PBF von Infineon ist ein leistungsstarker unipolarer Transistor, der für verschiedene Anwendungen in der Elektronik geeignet ist. Mit seiner hohen Drain-Source-Spannung und dem geringen Übergangszustandswiderstand bietet er eine effiziente Leistung.

Technische daten

  • Hersteller: Infineon (IRF)
  • Transistortyp: N-MOSFET
  • Drain-Source-Spannung: 200V
  • Ableitstrom: 18A
  • Verlustleistung: 100W
  • Gehäuse: TO220AB
  • Gate-Source-Spannung: ±20V
  • Übergangszustand Widerstand: 100mΩ
  • Gate-Last: 18nC

    • Eigenschaften

    • Marke
      OEM
    • Zusätzliche Herstellergarantie
      3 Jahr(e)
    • Farbe
      Schwarz
    • Stromstärke
      18 A
    • Breite
      100 mm
    • Material
      Kunststoff
    • Art der ElektroInstallation
      Mit Schrauben
    • Gewicht
      100 g
    • Leistung
      100 W
    • Elektrische Spannung
      200 V
    • ManoMano Art.-Nr
      ME40447728
    • MMID
      980515674059
    • Herstellerreferenz
      47946-DI
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