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Produktinformationen
Beschreibung
TECHNISCHE DATEN:
- Hersteller Infineon (IRF).
- N-MOSFET-Transistortyp
- Unipolare Polarisierung
- Drain-Source-Spannung 55V
- Ableitstrom 110A
- Verlustleistung 170W
- D2PAK-Gehäuse
- Gate-Source-Spannung ±20V
- Widerstand im Übertragungszustand 6,5mΩ
- SMD-Montage
Eigenschaften
- MarkeOEM
- Länge10 cm
- Gewicht100 g
- Leistung200 W
- Elektrische Spannung55 V
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