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Produktinformationen
Beschreibung
TECHNISCHE DATEN:
- Hersteller STMicroelectronics
- Transistor N-MOSFET
- Source-Drain-Spannung 600V
- Ableitstrom 14,5A
- Verlustleistung 190W
- TO247-Gehäuse
- Gate-Source-Spannung ±25V
- Übergangszustand Widerstand 130mΩ
Eigenschaften
- MarkeSTMICROELECTRONICS
- Länge10 cm
- Breite100 mm
- Höhe100 mm
- Gewicht100 g
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