Produktinformationen
Beschreibung
TECHNISCHE DATEN:
- Hersteller STMicroelectronics
- Transistor N-MOSFET
- Source-Drain-Spannung 600V
- Ableitstrom 14,5A
- Verlustleistung 190W
- TO247-Gehäuse
- Gate-Source-Spannung ±25V
- Übergangszustand Widerstand 130mΩ
Eigenschaften
- MarkeSTMICROELECTRONICS
- Zusätzliche Herstellergarantie3 Jahr(e)
- FarbeMehrfarbig
- Höhe100 mm
- Stromstärke14.5 A
- Breite100 mm
- MaterialKunststoff
- Art der ElektroInstallationMit Schrauben
- Gewicht100 g
- Leistung190 W
- Elektrische Spannung5 V
- ManoMano Art.-NrME40446578
- MMID950801113760
- Herstellerreferenz53259-DI
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