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Produktinformationen
Beschreibung
TECHNISCHE DATEN:
- MOSFET-Transistor
- Gehäuse TO-220-3
- Anzahl der Kanäle 1
- N-Kanal-Transistor
- Durchschlagsspannung zwischen Drain und Source 600V
- Dauerhafter Drainstrom 4A
- Spannung zwischen Gate und Source 30V
- Arbeitstemperatur - 55 C..150ºC
- Leistung 100W
Eigenschaften
- MarkeON SEMICONDUCTOR
- Länge10 cm
- Breite100 mm
- Höhe100 mm
- Gewicht100 g
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