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Produktinformationen
Beschreibung
TECHNISCHE DATEN:
- Hersteller STMicroelectronics
- N-MOSFET-Transistortyp
- Source-Drain-Spannung 60V
- Ableitstrom 35A
- Verlustleistung 110W
- TO220-3-Gehäuse
- Gate-Source-Spannung ±20V
- Übergangszustand Widerstand 18mΩ
Eigenschaften
- MarkeSTMICROELECTRONICS
- Länge10 cm
- Breite100 mm
- Höhe100 mm
- Gewicht100 g
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