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ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 N-Kanal 235 W TO-220-3

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Produktinformationen

Beschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der ON Semiconductor FDP18N50 ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET, der für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik geeignet ist. Mit einer maximalen Leistung von 235 W bietet er eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltanwendungen.

Technische daten

  • Maximale Leistung: 235 W
  • Typ: N-Kanal MOSFET
  • Gehäuse: TO-220-3
  • Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 500 V
  • Maximaler Drain-Strom (Id): 18 A
  • Eigenschaften

    • Marke
      ON SEMICONDUCTOR
    • Ursprung
      Hergestellt in China
    • Farbe
      Schwarz
    • Höhe
      4.7 mm
    • Stromstärke
      18 A
    • Breite
      10.67 mm
    • Material
      Kunststoff
    • Art der ElektroInstallation
      Mit Schrauben
    • Leistung
      235 W
    • Stromnetz
      Einphasig
    • Art des Kontakts
      Normalerweise Geschlossen
    • ManoMano Art.-Nr
      ME85665517
    • MMID
      937390809405
    • Herstellerreferenz
      FDP18N50
    • EAN
      2050002644885
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