Schnelle Erholungsdiode, vollständig gecrimpte Struktur, MBRP400200CT, 200 A, 25 V, -55 bis 150 °C

1. Der Chip ist elektrisch von der Rückwandplatine isoliert (2500 V Wechselspannung). 2. Vollständig gecrimpte Struktur mit hervorragenden Temperatureigenschaften und hoher Zyklenfestigkeit. 3. Module unter 200 A werden zwangsluftgekühlt, Module über 300 A wahlweise luft- oder wassergekühlt. 4. Einfache Installation, benutzerfreundlich und wartungsarm. 5. Hohe Produktqualität für stabile Leistung. Spezifikation: Produkttyp: Recovery-Diodenmodul; Vorwärtsstrom IF (AV): 200 A; Sperrschichttemperatur TJ: -55 bis 150 °C; Lawinenenergie EAS: 180 MJ; Maximaler Sperrspitzenstrom IRM: 10 mA; DV/DT: 10 V/µs; Ls: 3,0 nH; Ct: 10,3 pF. Lieferumfang: 1 x Recovery-Diodenmodul