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Produktinformationen
Beschreibung
Transistor 21666-DI
- Hersteller STMicroelectronics
- IGBT-Transistor
- Kollektor-Emitter-Spannung 600V
- Kollektorstrom 30A
- Verlustleistung 200W
- TO247-3 Gehäuse
- Eingangs-Emitter-Spannung ±20V
- Kollektorstrom im Impuls 150A
- Gate-Last 140nC
Eigenschaften
- MarkeSTMICROELECTRONICS
- Länge10 cm
- Breite100 mm
- Höhe100 mm
- Gewicht100 g
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