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MosFet N-Transistor 900V 8A TO220-3 FQP9n90C

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Produktinformationen

Beschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der MosFet N-Transistor FQP9n90C ist ein leistungsstarker N-MOSFET-Transistor, der mit der QFET-Technologie von ON SEMICONDUCTOR entwickelt wurde. Er bietet eine hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit, ideal für verschiedene Anwendungen in der Elektronik.

Technische daten

  • Supply-Drain-Spannung: 900 V
  • Ableitstrom: 2,8 A
  • Verlustleistung: 205 W
  • Gehäuse: TO220AB
  • Gate-Source-Spannung: ±30 V
  • Widerstand im Übertragungszustand: 1,4 Ω
  • Gate-Last: 58 nC

    • Eigenschaften

    • Marke
      ON SEMICONDUCTOR
    • Länge
      10 cm
    • Breite
      100 mm
    • Höhe
      100 mm
    • Gewicht
      100 g
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