Transistor HGTP20N60A4 IGBT 600V 70A 290W TO220
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Produktinformationen
Beschreibung
TECHNISCHE DATEN:
- Hersteller ON SEMICONDUCTOR
- Transistor-Typ IGBT
- Kollektor-Emitter-Spannung 600V
- Kollektorstrom 40A
- Verlustleistung 290W
- TO220-3-Gehäuse
- Eingangsspannung - Emitter ±20V
- Kollektorstrom im Impuls 280A
- Gate-Last 210nC
Eigenschaften
- MarkeON SEMICONDUCTOR
- FarbeMehrfarbig
- Höhe100 mm
- Stromstärke70 A
- Breite100 mm
- MaterialKunststoff
- Art der ElektroInstallationMit Schrauben
- Gewicht100 g
- Leistung290 W
- Elektrische Spannung5 V
- ManoMano Art.-NrME40447417
- MMID943655786222
- Herstellerreferenz15266-DI
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