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Transistor mit Diode 600V 80A 195W IGBT TO-3P SGH80N60UFD

Verkauft von Electropolis

Produktinformationen

Beschreibung

TECHNISCHE DATEN:
  • IGBT-Transistoren
  • TO-3P-3-Kapsel
  • Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max. 600 V
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung 2,1 V
  • Maximale Gate-Emitter-Spannung 20 V
  • Kollektordauerstrom bei 25º C 80 A
  • Verlustleistung 195 W
  • Kollektor-Dauerstrom Ic Max 80 A
  • Marke ON Semiconductor / Fairchild

Eigenschaften

  • Marke
    ON SEMICONDUCTOR
  • Zusätzliche Herstellergarantie
    3 Jahr(e)
  • Farbe
    Schwarz
  • Höhe
    100 mm
  • Stromstärke
    80 A
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