Produktinformationen
Beschreibung
TECHNISCHE DATEN:
- IGBT-Transistoren
- TO-3P-3-Kapsel
- Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max. 600 V
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung 2,1 V
- Maximale Gate-Emitter-Spannung 20 V
- Kollektordauerstrom bei 25º C 80 A
- Verlustleistung 195 W
- Kollektor-Dauerstrom Ic Max 80 A
- Marke ON Semiconductor / Fairchild
Eigenschaften
- MarkeON SEMICONDUCTOR
- Zusätzliche Herstellergarantie3 Jahr(e)
- FarbeSchwarz
- Höhe100 mm
- Stromstärke80 A
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