Diac DB3 DO-35 SGS 10-teilig

Diac; Ifmax: 2A; DO35; 30–34 V Beschreibung: Der Diac DB3 im DO-35-Gehäuse von SGS ist ein bidirektionales Halbleiterbauelement vom Diac-Typ, das nach Überschreiten der Durchbruchspannung in beiden Richtungen leitet. Das DO-35-Glasgehäuse ermöglicht die axiale Montage und eine gute Wärmeableitung. Anwendungen: Ansteuerung von Triacs und Thyristoren in Lampendimmern und Spannungsreglern, Drehzahlregelungssysteme für Wechselstrommotoren, Relaxationsgeneratoren und Verzögerungssysteme, Zünd- und Impulssteuerungssysteme, einfacher Schutz vor Überspannungen und Impulsen. Vorteile: Symmetrische Leitfähigkeit in beiden Polaritäten, keine Polarisation vor dem Einschalten erforderlich, einfacher Aufbau und geringe Kosten, schnelles Schalten beim Überschreiten der Durchbruchspannung, geringe Größe und einfache Integration in Standardschaltungen. Alternativen: Direkte Alternativen sind DB3-Bauteile verschiedener Hersteller, z. B. STMicroelectronics, Vishay, ON Semiconductor, Rohm u. a. Auch andere Diacs mit ähnlicher Durchbruchspannung wie DB4 können verwendet werden, nachdem die Parameterunterschiede geprüft wurden, um ein konsistentes Systemverhalten zu gewährleisten. Beim Wechsel zu SMD-Versionen oder anderen Gehäusetypen ist ein Aufpreis zu entrichten. Beachten Sie die thermischen und mechanischen Unterschiede. Praktische Hinweise: Vergleichen Sie vor dem Austausch die Durchbruchspannung, den Haltestrom, die maximale Sperrspannung und den zulässigen Impulsstrom in der Dokumentation, um Änderungen der Zündcharakteristik zu vermeiden. Achten Sie bei Leistungsanwendungen auf die korrekte Anordnung der Bauteile und die mögliche Filterung von Störungen, um Fehlzündungen zu verhindern.