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Produktinformationen
Beschreibung
Transistor 24329-DI
- Hersteller ON SEMICONDUCTOR
- Transistor-Typ N-MOSFET
- Drain-Source-Spannung 650V
- Ableitstrom 11A
- Verlustleistung 36W
- TO220FP-Gehäuse
- Gate-Source-Spannung ±30V
- Gate-Last 52nC
Eigenschaften
- MarkeON SEMICONDUCTOR
- Länge10 cm
- Breite100 mm
- Höhe100 mm
- Gewicht100 g
Kundenbewertungen
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