ON Semiconductor FQPF6N80C MOSFET 1 N-Kanal 51 W TO-220-3

Name: ON Semiconductor FQPF6N80C MOSFET 1 N-Kanal 51 W TO-220-3
Brand: ON SEMICONDUCTOR
SKU: FQPF6N80C
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Produktinformationen

Beschreibung

Allgemeine Beschreibung

Der ON Semiconductor FQPF6N80C ist ein leistungsstarker N-Kanal MOSFET, der für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik konzipiert wurde. Mit einer maximalen Leistung von 51 W und einem robusten TO-220-3 Gehäuse bietet dieser MOSFET eine hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit.

Technische daten

Maximale Leistung: 51 W

Gehäuse: TO-220-3

Maximale Drain-Source-Spannung (VDS): 800 V

Maximaler Drain-Strom (ID): 6 A

Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V

Kompatibilität und Zubehör

Der FQPF6N80C ist kompatibel mit einer Vielzahl von Schaltungen und Anwendungen, die N-Kanal MOSFETs erfordern. Es sind keine spezifischen Zubehörteile erforderlich, um diesen MOSFET zu verwenden.

Installation

Die Installation des FQPF6N80C erfolgt in der Regel durch Einlöten in eine geeignete Leiterplatte. Achten Sie darauf, die richtigen Löttechniken zu verwenden, um eine sichere Verbindung zu gewährleisten.

Anwendung

Der FQPF6N80C eignet sich für verschiedene Anwendungen, darunter:

Schaltregler

Motorsteuerungen

Leistungsumwandlung

Hochfrequenzanwendungen

Eigenschaften

Marke
ON SEMICONDUCTOR
Ursprung
Hergestellt in China
Stromstärke
5.5 A
Art der ElektroInstallation
Mit Schrauben
Leistung
51 W
Stromnetz
Einphasig
Elektrische Spannung
10 V
Art des Kontakts
Normalerweise Geöffnet
ManoMano Art.-Nr
ME5979686
MMID
693285811973
Herstellerreferenz
FQPF6N80C
EAN
2050002649453

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