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Produktinformationen
Beschreibung
TECHNISCHE DATEN:
- Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES.
- N-MOSFET-Transistor
- CoolMOS™ Technologie
- Drain-Source-Spannung 600V
- Ableitstrom 11A
- Verlustleistung 125W
- PG-TO220-3 Gehäuse
- Gate-Source-Spannung ±20V
- Widerstand im Übertragungszustand 0,38Ω
- Gate-Last 10,5nC
Eigenschaften
- MarkeOEM
- Länge10 cm
- Gewicht100 g
- Leistung125 W
- Elektrische Spannung5 V
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